asyan.org
добавить свой файл
1
РОБОЧА НАВЧАЛЬНА ПРОГРАМА
Предмет Методи дослідження властивостей матеріалів (Р-32)

Спеціальність Радіофізика і електроніка № 7.070201

Факультет електроніки форма навчання денна

Виписка з навчального плану





№ семестра

К-ть ауд. годин

В т. Числі

К-ть годин СР

КР

КП

Заліки

Іспити

Л

П.С.

ЛР

5

45

18



27

23





+

––

Всього






























АНОТАЦІЯ


Спецкурс присвячений вивченню перспективних фізико-хімічних методів дослідження основних властивостей матеріалів радіоелектроніки. Основна увага приділена дослідженню властивостей напівпровідникових та діелектричних матеріалів. Крім дослідження об'ємних властивостей аналізуються методи дослідження складу та електронного стану поверхні матеріалів.
ЗМІСТ ПРОГРАМИ

Означення та загальна характеристика основних фізичних властивостей, їх зв'язок із структурою, хімічними властивостями та дефектністю матеріалів. Залежність макроскопічних характеристик кристалів від параметрів кривої U(r). Загальна класифікація основних властивостей напівпровідників, діелектриків, металів.

Механічні властивості твердих тіл. Пружність і пластичність. Твердість, міцність, мікротвердість.

Теоретичні основи теплових властивостей твердих тіл. Теплоємність. Теплопровідність і температуропровідність. Теплове розширення. Дилатометрія. Основні методи вимірювання теплопровідності.

Основні параметри напівпровідникових матеріалів. Електропровідність напівпровідників та основні методи її вимірювання. Зондові методи. Методи Ван-дер-Пау. Безконтактні методи.

Ефект Холла: фізичні основи та особливості експериментальної техніки. Визначення концентрації та рухливості носіїв заряду по холлівських вимірюваннях.

Спектроскопія електронних переходів. Поширення електромагнітних хвиль в середовищах. Співвідношення Крамерса-Кроніга. Оптичні константи матеріалів. Спектри відбивання та пропускання тонких плівок.

ІЧ-спектроскопія: особливості та задачі, які розв’язує ІЧ-спектроскопія.

Електронно-зондові методи дослідження параметрів матеріалів. Явища, які виникають при взаємодії електронного променя з речовиною. Пружні та непружні зіткнення. Область взаємодії. Відбиті та вторинні електрони. Виникнення рентгенівського випромінювання. Оже-електрони. Катодолюмінесценція.

Методи вивчення поверхні твердих тіл.

Деякі експериментальні аспекти вивчення поверхні (техніка експерименту). Методи приготування та очищення поверхні. Класифікація методів вивчення структури та хімічного складу поверхні твердих тіл.

Загальна характеристика деяких методів визначення складу приповерхневих шарів та тонких плівок. Визначення складу поверхні методом Оже-спектроскопії.

Методи вивчення структури приповерхневих шарів. Дифракція повільних електронів. Метод тунельної скануючої мікроскопії. Растрова електронна мікроскопія. Атомно-силова мікроскопія. Каналювання як новий інструмент в дослідженні фізики кристалів та ядерній фізиці.

ЛАБОРАТОРНІ РОБОТИ


  1. Мікроскопічні методи дослідження матеріалів.

  2. Вимірювання мікротвердості напівпровідникових матеріалів на ПМТ-3.

  3. Вивчення теплопровідності матеріалів на прикладі ИТ--400, ИТС-.

  4. Дослідження температурної залежності питомого опору металів та сплавів.

  5. Визначення параметрів кристалічної ґратки методом Дебая-Шеррера.

  6. Розрахунок оптичних констант тонких плівок.

  7. Основні принципи Фур'є-спектроскопії.

ЛІТЕРАТУРА

  1. Структура і фізичні властивості твердого тіла / О. Г. Алевердова, О. В. Арикін, О. Ф. Богданова та інш./За. ред. Л. С. Паланкіна.- К.: Вища школа. 1992. -311 с.

  2. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. - М.: Мир, 1989.- 564 с.

  3. Количественный электронно-зондовый микроанализ / Под. ред. В.Скотта, Г. Лава. - М.: Мир, 1986.-352 с.

  4. Кунце Х.-И. Методы физических измерений .-М.: Мир, 1989.-216 с.

  5. Методы иследования неорганических веществ.- Томск: Изд-во Томск. ун-та, 1984.-184 с.

  6. Микроанализ и растровая электронная микроскопия / Под. ред. Ф. Морис, Л. Мени, Р. Тиксье.- М.: Металургия , 1985.-392 с.

  7. Пека Г.П., Коваленко В.Ф., Куценко В.Н. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и проборов.- Киев: Техника, 1986.- 151 с.

  8. Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок.- М.: Мир, 1989.-344 с.

  9. Болеста І. М. Хімічний зв’язок і структура матеріалів. –Львів: Ред. вид. відділ Львів. ун-ту, 1991. 105с.

  10. Бенуелл К. Основы полярной спектроскопии. - М.: Мир, 1985. -384 с.

  11. Ю. В. Воробъев, В. Н. Добровольский, В. И. Стриха Методы исследования полупроводников.- Киев Изд-во Главного издательского объединения "Выща школа", 1988. - 232 с.

  12. Павлов Л. П. Методы определения основных параметров п/п материаллов. -М. Высш. школа, 1975. -20 с.

  13. Могилевский Б. М., Чудновский А. Ф. Теплопроводимость полупроводников. - М. Наука, 1972. -536 с.

  14. Батавин В. В., Концевой Ю. А. Федорович Ю. В., Измерение параметров п/п материаллов и структур. - М. Радио и связь, 1985. -260 с.

  15. Ю. Д.Чистяков, А. И. Пекарев Методы исследования структуры материалов(конспект лекций). Москва. МИЭТ. 1991. –342с.

  16. Методы анализа поверхностей/ Gод. ред. А. Зандерны. Изд-во “Мир”, 1979. -583 с.

  17. І. М. Болеста, І. В. Савицький, О. В. Футей Методичні вказівки до виконання лабораторних робіт із спецпрактикуму “Інфрачервона спектоскопія” для студентів фізичного факультету, Львів, 1991. 1,1 умов.друк.аркушів.

  18. Савицкий И. В., Болеста И. М., Футей А. В. Методические указания к выполению лабораторных работ по спецкурсу «Физическое материаловедение» для студентов IV- го курса физического факультета, Львов, ЛГУ,1989 г. Усл. печ. л. –13.

  19. Л. В. Костик, І. М. Матвіїшин, О. В. Футей. Методичні вказівки до лабораторного практикуму із спецкурсу “Симетрія та фізичні властивості кристалів для студентів факультету електроніки, Львів, 2003. 2,0 умов. друк. арк.


Програму склав асистент Футей О. В.